適用于電動大巴及大功率變頻器的2MBI800XNE-120

適用于電動大巴及大功率變頻器的2MBI800XNE-120低損耗 通過減小模塊內部IGBT及二極管芯片的厚度實現微細化,從而優化了模塊結構。由此,與以往的產品(本公司第6代V系列)相比,減少了變頻器動作時的電力損耗。變頻器損耗減少10%、芯片溫度降低11℃(相較于第6代V系列EP3封裝75A、fc=8kHz)提高功率密度通過兼具高可靠性和高耐熱性的封裝及芯片的優化,實現了在175℃環境下的連續動作

適用于電動大巴及大功率變頻器的2MBI800XNE-120

WESTPAC香港威柏電子|深圳市威柏德電子有限公司|FUJI富士IGBT|FUJI富士IPM

圖片關鍵詞2MBI800XNE120-50.PDF

  1. 低損耗 通過減小模塊內部IGBT及二極管芯片的厚度實現微細化, 從而優化了模塊結構。 由此,與以往的產品(本公司第6代V系列)相比,減少了 變頻器動作時的電力損耗。 變頻器損耗減少10%、芯片溫度降低11℃ (相較于第6代V系列EP3封裝75A、f c=8kHz)

  2. 提高功率密度

  3. 通過兼具高可靠性和高耐 熱性的封裝及芯片的優化, 實現了在175℃環境下的 連續動作。


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